GA0805H561MXBBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高頻開�(guān)�(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了效率和功率密�,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)��
這款 MOSFET 通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電源管理模�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ(典型值,Vgs=10V�
擊穿電壓(BVDSS):50 V
漏極電流(Id):78 A(最大�,脈沖條件)
柵極電荷(Qg):25 nC(典型值)
輸入電容(Ciss):1250 pF(典型值)
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA0805H561MXBBP31G 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,這使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,該器件還具有良好的熱�(wěn)定性和抗雪崩能�,能夠承受瞬�(tài)過壓和過流情��
它的封裝形式� TO-263(D2PAK�,這種封裝不僅提供了良好的散熱性能,還便于安裝和維�(hù)。另外,該芯片的工作溫度范圍寬廣,從 -55°C � +175°C,適合各種惡劣環(huán)境下的使��
該芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS�、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以� LED �(qū)�(dòng)電路等場(chǎng)景�
在這些�(yīng)用中,GA0805H561MXBBP31G 可以提供高效的功率轉(zhuǎn)換和�(wěn)定的�(yùn)行性能,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)小型�、高效化和可靠性的要求�
IRF7739,
STP75NF06,
FDP5500,
AOTF14L