GA0805H561JBBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和�(fù)載切換等場景。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠在高頻開關(guān)條件下提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)�
該芯片屬于溝道型 MOSFET,能夠有效降低功耗形式和電氣特性使其特別適合于對空間和散熱有較高要求的�(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�56A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)頻率:高� 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,能夠支持大功率�(yīng)用場��
3. 快速開�(guān)特�,適合高頻開�(guān)電源�(shè)計�
4. 出色的熱性能,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運行�
5. 高可靠性設(shè)�,滿足工�(yè)級和汽車級應(yīng)用需��
6. 小型化封裝選項,便于緊湊型電路板布局�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. 電動工具和家用電器的電機�(qū)動�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
4. 新能源領(lǐng)�,如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
5. 汽車電子中的 DC-DC �(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)(BMS)�
6. 高效 LED �(qū)動電源設(shè)��
IRF540N
STP55NF06L
FDP55K6