GA0805H561JBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET,屬于溝道增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。它適用于高電壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度。該型號(hào)通常用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率控制的電子設(shè)備中�
此器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,能夠在高頻條件下保持良好的性能,并且具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:80V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�56A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�45nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=11ns, toff=25ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GA0805H561JBBBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(3.5mΩ�,能夠顯著降低功率損�,提高整體效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. 大電流承載能力(高達(dá)56A�,使其在高功率應(yīng)用場(chǎng)景下表現(xiàn)出色�
4. �(qiáng)大的熱管理設(shè)�(jì),支持長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
5. 良好的電氣特性和�(jī)械穩(wěn)定�,確保在極端溫度條件下的可靠操作�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��
該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 逆變�
5. 充電�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
7. 汽車電子系統(tǒng)
其高效率和高可靠性使� GA0805H561JBBBR31G 成為眾多高要求應(yīng)用的理想選擇�
IRF840,
STP55NF06,
FDP5500,
IXTK56N08P3