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GA0805H473JXABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/12 18:02:23 查看 閱讀�9

GA0805H473JXABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率開關(guān)�(yīng)用設(shè)計。該器件采用先進的溝槽� MOSFET 技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合于高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及電機驅(qū)動等�(yīng)用場��
  該芯片的主要特點是其卓越的熱性能和可靠�,能夠支持較高的電流負載,并在惡劣環(huán)境下保持�(wěn)定工��

參數(shù)

型號:GA0805H473JXABR31G
  類型:N溝道 MOSFET
  VDS(漏源電壓)�60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
  ID(持�(xù)漏極電流):90A
  Qg(柵極電荷)�42nC
  fT(轉(zhuǎn)換頻率)�3.1MHz
  VGS(th)(柵極開啟電壓)�2.2V
  封裝形式:TO-247

特�

GA0805H473JXABR31G 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),可以顯著降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�,減少開�(guān)損��
  3. �(yōu)化的柵極電荷 Qg 和輸入電� Ciss,進一步提升了開關(guān)速度�
  4. 強大的過流能�,支持高� 90A 的持�(xù)電流,滿足高功率需��
  5. 提供可靠的熱保護功能,確保長時間�(wěn)定運��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛焊接工藝兼容�
  這些特性使� GA0805H473JXABR31G 成為工業(yè)級電源轉(zhuǎn)換和電機控制的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流�
  2. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或同步整流��
  3. 電動工具、家用電器以及其他消費類電子�(chǎn)品的電機�(qū)動電��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和�(qū)動模��
  5. 太陽能逆變器及其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換組件�
  GA0805H473JXABR31G 憑借其高效性和可靠�,在上述�(lǐng)域中表現(xiàn)出色�

替代型號

GA0805H475KXABR31G, IRF840, FQP50N06L

ga0805h473jxabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.047 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-