類型：MOSFET
　　極性：N-channel
　　最大漏源電壓(Vds)：800V
　　最大連續(xù)漏極電流(Id)：5.2A
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：6.5Ω
　　總功耗(Ptot)：240W
　　結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃ to +175℃
　　封裝形式：TO-220AC

GA0805H393MBABT31G具有以下關(guān)鍵特性：
　　1. 高擊穿電壓設(shè)計(jì)，確保在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　2. 低導(dǎo)通電阻，有助于減少功率損耗并提高整體效率。
　　3. 快速開關(guān)速度，支持高頻應(yīng)用。
　　4. 優(yōu)化的熱性能，能夠承受較高的結(jié)溫范圍。
　　5. 具備出色的抗雪崩能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子設(shè)備使用需求。

這款高壓MOSFET適用于廣泛的工業(yè)和消費(fèi)類電子領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，用于控制直流或無刷直流電機(jī)的速度和方向。
　　3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)管或同步整流管。
　　4. 各種電力電子設(shè)備中的負(fù)載切換功能。
　　5. 電磁閥驅(qū)動(dòng)及類似需要大電流開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。

IRF840, STP80NE8L, FQP17N80C