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GA0805H333JBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 19:05:11 查看 閱讀�7

GA0805H333JBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高效率和高頻�(yīng)用中提供卓越性能�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)�,其�(shè)�(jì)目標(biāo)是優(yōu)化功耗和散熱性能,適用于工業(yè)控制、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及汽車電子等多�(gè)�(lǐng)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):40A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總柵極電荷(Qg):75nC
  輸入電容(Ciss):2200pF
  輸出電容(Coss):80pF
  反向傳輸電容(Crss):45pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA0805H333JBABT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低功率損��
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,減少磁性元件體積�
  3. 高雪崩能量耐量,提升在異常條件下的可靠��
  4. 緊湊封裝形式,便于系�(tǒng)集成和布局�(yōu)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  6. 良好的熱性能,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
  這些特性使該器件非常適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場��

�(yīng)�

GA0805H333JBABT31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,包括AC-DC適配器和充電��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和負(fù)載點(diǎn)供電�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�,涵蓋從小型直流電機(jī)到大型工�(yè)電機(jī)的應(yīng)用�
  4. 汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向和剎車系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
  6. 通信電源和不間斷電源(UPS��
  該器件憑借其�(yōu)異的性能,在眾多電力電子�(yīng)用中�(fā)揮著�(guān)鍵作用�

替代型號

GA0805H333JBABT31F, IRF3710, FDP5500

ga0805h333jbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.033 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-