GA0805H333JBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高效率和高頻�(yīng)用中提供卓越性能�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)�,其�(shè)�(jì)目標(biāo)是優(yōu)化功耗和散熱性能,適用于工業(yè)控制、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及汽車電子等多�(gè)�(lǐng)��
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大連續(xù)漏極電流(Id):40A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
總柵極電荷(Qg):75nC
輸入電容(Ciss):2200pF
輸出電容(Coss):80pF
反向傳輸電容(Crss):45pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA0805H333JBABT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可有效降低功率損��
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,減少磁性元件體積�
3. 高雪崩能量耐量,提升在異常條件下的可靠��
4. 緊湊封裝形式,便于系�(tǒng)集成和布局�(yōu)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
6. 良好的熱性能,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
這些特性使該器件非常適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場��
GA0805H333JBABT31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,包括AC-DC適配器和充電��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和負(fù)載點(diǎn)供電�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�,涵蓋從小型直流電機(jī)到大型工�(yè)電機(jī)的應(yīng)用�
4. 汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向和剎車系統(tǒng)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. 通信電源和不間斷電源(UPS��
該器件憑借其�(yōu)異的性能,在眾多電力電子�(yīng)用中�(fā)揮著�(guān)鍵作用�
GA0805H333JBABT31F, IRF3710, FDP5500