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GA0805H332MBABT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 12:04:41 查看 閱讀�17

GA0805H332MBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于電源管理、開關電路以及電機驅動等場景。該芯片采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高開關速度的特點,適合在高頻開關應用中使用。此外,其封裝形式緊�,便于集成到各種電子設備��

參數(shù)

型號:GA0805H332MBABT31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓:30V
  最大柵極源極電壓:±20V
  最大漏極電流:80A
  導通電阻:2.5mΩ
  功耗:10W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263

特�

GA0805H332MBABT31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(2.5mΩ),能夠有效降低功率損��
  2. 高速開關性能,支持高頻應��
  3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持良好的性能�
  4. 強大的電流承載能力(80A�,適用于大功率負載控��
  5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),適應多種惡劣環(huán)境條��
  6. 封裝緊湊,便于PCB布局和系�(tǒng)設計�(yōu)��

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)中的功率轉換模��
  2. 電動工具和家用電器的電機驅動電路�
  3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換控��
  4. LED照明系統(tǒng)的驅動電��
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電保護電��
  6. 汽車電子中的啟動和停止控制系�(tǒng)�
  7. 各類高頻DC-DC轉換��

替代型號

IRF3205
  FDP16N06L
  AON7819
  STP80NF06L

ga0805h332mbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-