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GA0805H332JBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 12:01:55 查看 閱讀�12

GA0805H332JBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等高效率功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率并降低熱損��
  該芯片專為高頻率和高電壓�(yīng)用設(shè)�(jì),其�(yōu)異的�(dòng)�(tài)性能和穩(wěn)定的靜態(tài)參數(shù)使其在各種工�(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中得到廣泛�(yīng)��

參數(shù)

型號(hào):GA0805H332JBABR31G
  類型:N溝道功率MOSFET
  工作電壓�650V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻:0.07Ω(典型值)
  柵極電荷�45nC(最大值)
  �(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

GA0805H332JBABR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提高效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)特性,支持高頻�(yīng)�,可有效減小磁性元件體��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的可靠��
  4. �(nèi)置柵極保�(hù)電路,防止因�(guò)壓或靜電放電�(dǎo)�?lián)p��
  5. �(wěn)定的電氣參數(shù),確保在極端條件下的可靠�(yùn)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合多種�(yīng)用場(chǎng)��
  這些特點(diǎn)使得該芯片適用于�(duì)效率和可靠性要求較高的系統(tǒng)�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

GA0805H332JBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)�
   包括適配�、充電器以及各種AC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   用于�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)和其他類型的電機(jī)控制電路�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器�
   在汽車電�、通信�(shè)備以及其他需要高效電壓轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:
   如PLC控制�、伺服驅(qū)�(dòng)器等�(duì)功率管理要求較高的設(shè)��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:
   包括電視、音響系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
  其出色的性能和穩(wěn)定性使其成為眾多高要求�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

GA0805H332JBABR32G, IRF840, STP16NF65

ga0805h332jbabr31g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ga0805h332jbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-