GA0805H332JBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等高效率功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率并降低熱損��
該芯片專為高頻率和高電壓�(yīng)用設(shè)�(jì),其�(yōu)異的�(dòng)�(tài)性能和穩(wěn)定的靜態(tài)參數(shù)使其在各種工�(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中得到廣泛�(yīng)��
型號(hào):GA0805H332JBABR31G
類型:N溝道功率MOSFET
工作電壓�650V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:0.07Ω(典型值)
柵極電荷�45nC(最大值)
�(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
封裝形式:TO-220
工作溫度范圍�-55℃至+150�
GA0805H332JBABR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)特性,支持高頻�(yīng)�,可有效減小磁性元件體��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的可靠��
4. �(nèi)置柵極保�(hù)電路,防止因�(guò)壓或靜電放電�(dǎo)�?lián)p��
5. �(wěn)定的電氣參數(shù),確保在極端條件下的可靠�(yùn)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合多種�(yīng)用場(chǎng)��
這些特點(diǎn)使得該芯片適用于�(duì)效率和可靠性要求較高的系統(tǒng)�(shè)�(jì)�
GA0805H332JBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)�
包括適配�、充電器以及各種AC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
用于�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)和其他類型的電機(jī)控制電路�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器�
在汽車電�、通信�(shè)備以及其他需要高效電壓轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
4. 工業(yè)自動(dòng)化:
如PLC控制�、伺服驅(qū)�(dòng)器等�(duì)功率管理要求較高的設(shè)��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:
包括電視、音響系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
其出色的性能和穩(wěn)定性使其成為眾多高要求�(yīng)用的理想選擇�
GA0805H332JBABR32G, IRF840, STP16NF65