GA0805H272MXBBC31G 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)的NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技�(shù)。該芯片主要用于大容量數(shù)�(jù)存儲設備�,如固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存盤和嵌入式存儲解決方�。其設計注重高密度存儲和低功�,適合消費電子和工業(yè)應用�
存儲容量�8GB
存儲類型:NAND Flash
接口類型:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�169
�(shù)�(jù)傳輸速率�400MB/s
擦寫次數(shù)�3000�
工作溫度范圍�-40� � +85�
GA0805H272MXBBC31G 具有以下顯著特點�
1. 高存儲密度:單顆芯片即可提供8GB的存儲容量�
2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支持Toggle DDR 2.0接口,理論最高速度可達400MB/s�
3. 低功耗設計:�(yōu)化了讀寫操作中的能耗表�(xiàn),延長設備電池壽��
4. �(wěn)定性:�(jīng)過嚴格測試,在極端溫度條件下仍能保持正常工作�
5. 廣泛兼容性:適用于各種主流主控芯片,便于集成到不同的存儲�(chǎn)品中�
該芯片主要應用于以下�(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD�
2. USB閃存盤(U盤)
3. 嵌入式系�(tǒng)存儲
4. 智能家居設備
5. 工業(yè)控制與監(jiān)控設�
6. 消費類電子產(chǎn)品如平板電腦和智能手機的外置存儲擴展
K9WBG08U1M-SCK0, GA0805H272MXBBC30F