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GA0805H272MXBBC31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 10:57:18 查看 閱讀�9

GA0805H272MXBBC31G 是一款由三星(Samsung)生�(chǎn)的NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技�(shù)。該芯片主要用于大容量數(shù)�(jù)存儲設備�,如固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存盤和嵌入式存儲解決方�。其設計注重高密度存儲和低功�,適合消費電子和工業(yè)應用�

參數(shù)

存儲容量�8GB
  存儲類型:NAND Flash
  接口類型:Toggle DDR 2.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:BGA
  引腳�(shù)�169
  �(shù)�(jù)傳輸速率�400MB/s
  擦寫次數(shù)�3000�
  工作溫度范圍�-40� � +85�

特�

GA0805H272MXBBC31G 具有以下顯著特點�
  1. 高存儲密度:單顆芯片即可提供8GB的存儲容量�
  2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支持Toggle DDR 2.0接口,理論最高速度可達400MB/s�
  3. 低功耗設計:�(yōu)化了讀寫操作中的能耗表�(xiàn),延長設備電池壽��
  4. �(wěn)定性:�(jīng)過嚴格測試,在極端溫度條件下仍能保持正常工作�
  5. 廣泛兼容性:適用于各種主流主控芯片,便于集成到不同的存儲�(chǎn)品中�

應用

該芯片主要應用于以下�(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD�
  2. USB閃存盤(U盤)
  3. 嵌入式系�(tǒng)存儲
  4. 智能家居設備
  5. 工業(yè)控制與監(jiān)控設�
  6. 消費類電子產(chǎn)品如平板電腦和智能手機的外置存儲擴展

替代型號

K9WBG08U1M-SCK0, GA0805H272MXBBC30F

ga0805h272mxbbc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-