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時(shí)間：2025/5/22 15:43:07
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GA0805H272JBBBR31G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高性能 N 溝道功率 MOSFET，采用 TOLL 封裝形式。這款 MOSFET 主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度，從而能夠在高頻工作條件下提供出色的性能表現(xiàn)。
此型號(hào)基于先進(jìn)的制程技術(shù)設(shè)計(jì)，確保在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性，非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和熱管理的應(yīng)用場(chǎng)景。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：94A
導(dǎo)通電阻（典型值）：1.5mΩ
柵極電荷（典型值）：95nC
反向恢復(fù)時(shí)間：47ns
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝類型：TOLL
GA0805H272JBBBR31G 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升整體效率。
2. 快速的開關(guān)速度，能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用需求。
3. 高雪崩能力和魯棒性，確保在異常工作條件下的可靠性。
4. 緊湊型封裝設(shè)計(jì)，適合高密度 PCB 布局。
5. 支持寬范圍的工作溫度，適用于嚴(yán)苛環(huán)境中的電力電子系統(tǒng)。
6. 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，滿足汽車級(jí)應(yīng)用的要求。
7. 具備出色的熱性能，可有效減少散熱設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)和汽車 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
3. 開關(guān)模式電源 (SMPS)。
4. 太陽
5. 電動(dòng)車和混合動(dòng)力車中的牽引逆變器。
6. 高電流負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
由于其卓越的電氣特性和可靠性，GA0805H272JBBBR31G 成為眾多高功率密度設(shè)計(jì)的理想選擇。
GA0805H272JBBAAR31G
