時間：2025/5/22 15:46:29
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GA0805H222JBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，專為高效率和高功率應(yīng)用而設(shè)計。該芯片采用了先進的制造工藝，能夠提供卓越的導(dǎo)通電阻和開關(guān)性能，適用于各種工業(yè)和消費電子領(lǐng)域。其封裝形式緊湊，便于在空間受限的應(yīng)用中使用。
型號：GA0805H222JBABR31G
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss)：60V
最大連續(xù)漏極電流(Id)：120A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.2mΩ
柵極電荷(Qg)：40nC
功耗(PD)：72W
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-247-3
GA0805H222JBABR31G 具有低導(dǎo)通電阻的特點，這使得它在高電流應(yīng)用中能夠顯著降低功率損耗。此外，該芯片的快速開關(guān)能力和低柵極電荷使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。其耐高溫性能也確保了在極端環(huán)境下的可靠運行。
該芯片還具有良好的熱穩(wěn)定性，通過優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計，能夠有效散發(fā)熱量，從而延長器件壽命。同時，其強大的過流保護能力可以防止因意外過載而導(dǎo)致的損壞。
這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于直流電機驅(qū)動、電源管理模塊、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、電動工具以及各類工業(yè)控制設(shè)備中。由于其出色的電氣性能和可靠性，它特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和嚴(yán)格溫控的場景。
IRFP260N
FDP16N60E
STP120N10F5
