GA0805H183MBBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動以及開�(guān)電路等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低能耗�
此型號屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,支持高頻率操作,同時具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷�27nC
開關(guān)時間:ton=11ns, toff=19ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效減少功率損��
2. 快速的開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用�
3. 高電流承載能�,滿足大功率需求�
4. 增強(qiáng)的熱�(wěn)定性設(shè)�(jì),確保在極端條件下可靠運(yùn)行�
5. 小型封裝尺寸,便� PCB 布局�(yōu)化�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材料�
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
3. 電動工具和家用電器的電機(jī)�(qū)��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
5. 太陽能逆變器和其他新能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換組��
6. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
IRFZ44N, FQP50N06L, STP55NF06