GA0805H182MBBBT31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻和高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝,能夠提供卓越的開(kāi)�(guān)性能和熱管理特�。其主要用途包括通信基礎(chǔ)�(shè)�、工�(yè)電源、數(shù)�(jù)中心電源以及可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�。此型號(hào)為表面貼裝器件(SMD�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高效散熱設(shè)�(jì)�
相比傳統(tǒng)硅基器件,氮化鎵晶體管具有更低的�(dǎo)通電�、更高的�(kāi)�(guān)頻率和更高的能效,因此廣泛應(yīng)用于需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:180mΩ
柵極電荷�70nC
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá)10MHz
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
封裝類型:TO-252 (DPAK)
1. 基于氮化鎵(GaN)材料,具備卓越的高頻性能和低損耗特��
2. 高開(kāi)�(guān)速度,減少死區(qū)�(shí)間,提升系統(tǒng)效率�
3. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)),降低傳導(dǎo)損��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高器件的可靠��
5. 表面貼裝封裝�(shè)�(jì),支持高效的生產(chǎn)流程�
6. 小型化封裝,有助于節(jié)省電路板空間并優(yōu)化熱管理�
7. 具備出色的熱�(wěn)定性和電氣�(wěn)定性,適合惡劣�(huán)境下的使��
總體而言,GA0805H182MBBBT31G 的設(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用對(duì)高效�、高密度和高可靠性的需求�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. �(shù)�(jù)中心電源模塊
3. 通信基站功率放大�
4. 太陽(yáng)能逆變�
5. 電動(dòng)汽車(chē)充電�(shè)�
6. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電解決方�
由于其高頻和高效的特�(diǎn),該器件特別適合需要高功率密度和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)��
GAN041-650WSA
GAN063-650WSB
GAN080-650WSA