GA0805H152MXABP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電路�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,從而提高了整體系統(tǒng)效率并降低了功耗�
該芯片主要針�(duì)需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)合設(shè)�(jì),例如適配器、充電器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及LED�(qū)�(dòng)電路等。其封裝形式通常為表面貼裝類�,方便自�(dòng)化生�(chǎn)和散熱管��
型號(hào):GA0805H152MXABP31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�5.6A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型�,@ Vgs=10V)
總柵極電�(Qg)�10nC
輸入電容(Ciss)�1190pF
輸出電容(Coss)�210pF
反向傳輸電容(Crss)�75pF
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA0805H152MXABP31G 的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電�(4.5mΩ),能夠顯著降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于較低的柵極電�(Qg),適合高頻應(yīng)��
3. 高電流處理能�,支持高�(dá)5.6A的連續(xù)漏極電流�
4. 寬工作電壓范�,最大漏源電壓可�(dá)60V,適用于多種電源�(huán)��
5. �(qiáng)大的熱性能,優(yōu)化了封裝�(shè)�(jì)以增�(qiáng)散熱效果�
6. 具備出色的抗靜電能力(ESD),提升了�(chǎn)品的可靠性�
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
這些特性使 GA0805H152MXABP31G 成為各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
GA0805H152MXABP31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主�(kāi)�(guān)管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. LED�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)或調(diào)節(jié)元件�
4. 電池充電器中的功率級(jí)控制�
5. 各種工業(yè)�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電機(jī)�(qū)�(dòng)及負(fù)載切��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的非關(guān)鍵性功率管理部��
由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠�,該芯片在不同行�(yè)中的�(yīng)用越�(lái)越廣泛�
GA0805H152MXABP31G_FUTURE, IRF540N, FDP5570