GA0805H152JXABC31G 是一款基于 GaN(氮化鎵)技術(shù)的高效率功率晶體管,專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的封裝技術(shù),能夠提供卓越的熱性能和電氣性能,適用于要求高功率密度和高效能的應(yīng)用場(chǎng)景。
這款芯片的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及出色的耐熱性,使其非常適合于電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能逆變器以及其他高頻電力電子設(shè)備中。
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:150A
導(dǎo)通電阻:15mΩ
柵極電荷:70nC
開關(guān)頻率:超過(guò)1MHz
工作溫度范圍:-40℃至+125℃
封裝形式:TO-247-4L
該器件使用了增強(qiáng)型氮化鎵材料,具有以下主要特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳導(dǎo)損耗。
2. 快速的開關(guān)速度,可以減少開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率。
3. 高擊穿電壓,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 良好的熱管理能力,通過(guò)優(yōu)化封裝設(shè)計(jì)改善散熱性能。
5. 出色的抗電磁干擾能力,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)和外圍元件選擇。
GA0805H152JXABC31G 廣泛應(yīng)用于各種高性能電力電子領(lǐng)域,包括但不限于:
1. 高頻硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)渲械墓β首儞Q。
2. 數(shù)據(jù)中心和通信基站的高效電源模塊。
3. 太陽(yáng)能光伏逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換。
4. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和伺服控制系統(tǒng)。
5. 電動(dòng)車車載充電器(OBC)與DC-DC轉(zhuǎn)換器等新能源汽車相關(guān)組件。
GAN080-650R2H, TPH3202PS-G