GA0805H123MBXBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率、高頻開�(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效率并降低功耗�
這款芯片特別適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器、充電器以及各種工業(yè)�(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)��
類型:MOSFET
封裝:TO-263
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4mΩ
Id(持�(xù)漏電流)�70A
Qg(柵極電荷)�45nC
Ft(過渡頻率)�2.2MHz
Vgs(柵源極電壓):±20V
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA0805H123MBXBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠在大電流應(yīng)用中減少功率損��
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,適用于高效功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
3. 高電流承載能力,能夠承受高達(dá) 70A 的連續(xù)漏電��
4. �(qiáng)化的熱性能�(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 具備出色的抗靜電能力,增�(qiáng)器件的可靠��
6. 小型化封裝,節(jié)� PCB 空間,同�(shí)提供�(yōu)異的散熱性能�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC 適配��
2. 各類充電器,包括快充技�(shù)�
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控��
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切��
5. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
6. 通信�(shè)備中的電源管理模��
7. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
GA0805H124MBXBR31G, IRF540N, FDP16N60C