GA0805H123MBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
該芯片屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適用于中高電壓�(chǎng)景,具有出色的開�(guān)特性和抗干擾能��
型號(hào):GA0805H123MBABR31G
類型:N 溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電� Vds�650V
最大柵源電� Vgs:�20V
持續(xù)漏極電流 Id�8A
�(dǎo)通電� Rds(on)�0.4Ω(典型值,� Vgs=10V �(shí)�
功耗:20W(最大值)
封裝形式:TO-220
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
GA0805H123MBABR31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電�,有效減少傳�(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度,支持高頻操作;
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 封裝散熱性能�(yōu)�,便于實(shí)際應(yīng)用中的熱量管理�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 逆變器及 UPS 系統(tǒng)�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備;
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理部分�
IRF840
STP8NK60Z
FQA8N65C