GA0805H123JBXBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,在提供低導(dǎo)通電阻的同時(shí),還具備出色的開�(guān)特�。其廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及各類工業(yè)電子�(shè)備中�
該型�(hào)屬于功率MOSFET系列,通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和電氣參�(shù),能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率和可靠��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds�80V
最大柵源電壓Vgs:�20V
最大連續(xù)漏極電流Id�5A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功耗Ptot�47W
�(jié)溫范圍Tj�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA0805H123JBXBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適用于高頻工作�(huán)��
3. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐用性�
4. �(nèi)置柵極保�(hù)二極�,防止因�(guò)壓導(dǎo)致的損壞�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 封裝散熱性能�(yōu)越,適合大功率應(yīng)��
7. �(wěn)定的電氣性能,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠工作�
該芯片適用于多種�(lǐng)域,包括但不限于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)�
5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. LED�(qū)�(dòng)電路中的�(diào)節(jié)元件�
由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠�,GA0805H123JBXBT31G 在需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)合表�(xiàn)尤為突出�
GA0805H124LBXBT31G, IRF840, STP55NF06L