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GA0805H122MBABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 13:00:11 查看 閱讀�10

GA0805H122MBABR31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效功率芯片,廣泛�(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器等�(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的封裝工�,具有高效率、低損耗和高集成度的特�(diǎn),能夠顯著提升電力電子系�(tǒng)的性能�
  GaN 技�(shù)以其卓越的材料特性(如高電子遷移率和高擊穿電場)為新一代功率器件提供了�(qiáng)大的支持,使其在高頻和高功率密度�(yīng)用場景中表現(xiàn)�(yōu)��

參數(shù)

型號:GA0805H122MBABR31G
  工作電壓�100V
  額定電流�8A
  RDS(on)�7.5mΩ
  柵極�(qū)動電壓:4.5V~6V
  �(jié)溫范圍:-55℃~175�
  封裝形式:PQFN5*6

特�

GA0805H122MBABR31G 的主要特性包括:
  1. 高效的開�(guān)性能:得益于 GaN 材料的優(yōu)異特性,其開�(guān)頻率可達(dá)�(shù) MHz,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為 7.5mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率�
  3. 快速的開關(guān)速度:由于不存在反向恢復(fù)電荷,其開關(guān)損耗顯著降低�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高達(dá) 175� 的結(jié)溫下�(wěn)定運(yùn)�,適用于�(yán)苛的工作�(huán)境�
  5. 小型化設(shè)計:采用 PQFN5*6 封裝,節(jié)� PCB 空間,便于系�(tǒng)小型��
  6. 高可靠性:通過多項(xiàng)�(yán)格的測試�(yàn)�,確保長期使用的�(wěn)定��

�(yīng)�

GA0805H122MBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高頻開關(guān)電源:用于服�(wù)�、通信�(shè)備等高性能電源模塊�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:特別適合需要高效率和小體積的應(yīng)用場��
  3. 無線充電模塊:提升充電效率并減小模塊尺寸�
  4. 汽車電子:如車載充電器和電動助力系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換部��
  5. 工業(yè)自動化:用于各類工業(yè)控制�(shè)備中的電源管理單元�

替代型號

GA0805H122MBABR31K
  GA0805H122MBABR31L

ga0805h122mbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-