GA0805H122JXXBC31G 是一款由 GaN Systems 提供的增�(qiáng)型氮化鎵 (GaN) 功率晶體�。該器件采用� GaN HEMT 技�(shù),具有高效率、高頻開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。它適用于需要高效能和小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)�,例如電源適配器、充電器、數(shù)�(jù)中心電源、太�(yáng)能逆變器等。這款 GaN 晶體管通過(guò)�(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)和減少外圍元件的�(shù)�,�(jìn)一步降低了系統(tǒng)成本�
由于其出色的性能表現(xiàn),GA0805H122JXXBC31G 能夠在高頻條件下提供卓越的功率轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)保持較低的熱損��
型號(hào):GA0805H122JXXBC31G
�(lèi)型:增強(qiáng)� GaN HEMT
工作電壓�650V
�(dǎo)通電阻:120mΩ
最大漏極電流:8A
柵極�(qū)�(dòng)電壓范圍�4V � 6V
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
封裝形式:TO-252-3L
GA0805H122JXXBC31G 的主要特性包括:
1. 高效�(kāi)�(guān)能力:得益于 GaN 技�(shù),此器件能夠在高頻下�(yùn)�,顯著提升系�(tǒng)整體效率�
2. 低導(dǎo)通電阻:120mΩ 的導(dǎo)通電阻確保了更低的傳�(dǎo)損耗�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度:與傳統(tǒng)� MOSFET 相比,其�(kāi)�(guān)�(shí)間更短,能夠支持更高的開(kāi)�(guān)頻率�
4. �(jiǎn)化的電路�(shè)�(jì):由于減少了�(duì)緩沖電路和散熱片的需求,可降低整體設(shè)�(jì)�(fù)雜度�
5. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)試,保證在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性和使用壽命�
6. 小尺寸封裝:采用 TO-252-3L 封裝,有助于減小 PCB 占用面積�
GA0805H122JXXBC31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 電源適配器和快充�(shè)備:憑借高頻特性和高效�,非常適合便攜式電子�(chǎn)品的充電解決方案�
2. �(shù)�(jù)中心電源:用于服�(wù)器和存儲(chǔ)�(shè)備中的高� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)��
3. 太陽(yáng)能逆變器:提高光伏系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效��
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):支持更高頻率的 PWM 控制以實(shí)�(xiàn)精確的速度�(diào)節(jié)�
5. 電動(dòng)汽車(chē)充電樁:為電�(dòng)�(chē)提供快速高效的充電功能�
6. 通信電源:滿足基站和其他通信�(shè)施對(duì)高效電源的需求�
GAN0806G65B, GAN0808R65C