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GA0805H122JXXBC31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 18:54:15 查看 閱讀�19

GA0805H122JXXBC31G 是一款由 GaN Systems 提供的增�(qiáng)型氮化鎵 (GaN) 功率晶體�。該器件采用� GaN HEMT 技�(shù),具有高效率、高頻開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。它適用于需要高效能和小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)�,例如電源適配器、充電器、數(shù)�(jù)中心電源、太�(yáng)能逆變器等。這款 GaN 晶體管通過(guò)�(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)和減少外圍元件的�(shù)�,�(jìn)一步降低了系統(tǒng)成本�
  由于其出色的性能表現(xiàn),GA0805H122JXXBC31G 能夠在高頻條件下提供卓越的功率轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)保持較低的熱損��

參數(shù)

型號(hào):GA0805H122JXXBC31G
  �(lèi)型:增強(qiáng)� GaN HEMT
  工作電壓�650V
  �(dǎo)通電阻:120mΩ
  最大漏極電流:8A
  柵極�(qū)�(dòng)電壓范圍�4V � 6V
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝形式:TO-252-3L

特�

GA0805H122JXXBC31G 的主要特性包括:
  1. 高效�(kāi)�(guān)能力:得益于 GaN 技�(shù),此器件能夠在高頻下�(yùn)�,顯著提升系�(tǒng)整體效率�
  2. 低導(dǎo)通電阻:120mΩ 的導(dǎo)通電阻確保了更低的傳�(dǎo)損耗�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度:與傳統(tǒng)� MOSFET 相比,其�(kāi)�(guān)�(shí)間更短,能夠支持更高的開(kāi)�(guān)頻率�
  4. �(jiǎn)化的電路�(shè)�(jì):由于減少了�(duì)緩沖電路和散熱片的需求,可降低整體設(shè)�(jì)�(fù)雜度�
  5. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)試,保證在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性和使用壽命�
  6. 小尺寸封裝:采用 TO-252-3L 封裝,有助于減小 PCB 占用面積�

�(yīng)�

GA0805H122JXXBC31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電源適配器和快充�(shè)備:憑借高頻特性和高效�,非常適合便攜式電子�(chǎn)品的充電解決方案�
  2. �(shù)�(jù)中心電源:用于服�(wù)器和存儲(chǔ)�(shè)備中的高� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)��
  3. 太陽(yáng)能逆變器:提高光伏系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效��
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):支持更高頻率的 PWM 控制以實(shí)�(xiàn)精確的速度�(diào)節(jié)�
  5. 電動(dòng)汽車(chē)充電樁:為電�(dòng)�(chē)提供快速高效的充電功能�
  6. 通信電源:滿足基站和其他通信�(shè)施對(duì)高效電源的需求�

替代型號(hào)

GAN0806G65B, GAN0808R65C

ga0805h122jxxbc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-