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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805H122JBXBR31G

GA0805H122JBXBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 18:20:39 查看 閱讀�8

GA0805H122JBXBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低能耗并提升系統(tǒng)效率�
  這款MOSFET為N溝道增強(qiáng)�,其封裝形式通常為表面貼裝類型,適合高密度電路板�(shè)�(jì)。它在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn),因此適用于多種�(yán)苛的工作條件�

參數(shù)

型號(hào):GA0805H122JBXBR31G
  類型:N溝道功率MOSFET
  額定電壓�60V
  額定電流�30A
  �(dǎo)通電阻:4mΩ(典型值)
  柵極電荷�15nC(最大值)
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-220

特�

GA0805H122JBXBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用環(huán)��
  3. 良好的熱�(wěn)定性,在高溫條件下依然可以保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
  4. �(nèi)置保�(hù)功能,例如過流保�(hù)和短路保�(hù),提升了系統(tǒng)的安全性�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  6. 小型化封裝便于PCB布局,節(jié)省空��

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源中的功率�(jí)開關(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的逆變橋臂組件�
  4. 各類�(fù)載切換開�(guān),如電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流驅(qū)�(dòng)部件�

替代型號(hào)

IRF540N
  FDP5580
  STP30NF06L

ga0805h122jbxbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-