GA0805A8R2CXEBP31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,屬于增�(qiáng)型高電子遷移率晶體管(HEMT�。該型號(hào)以其高效�、高頻開�(guān)能力及緊湊尺寸著�,適用于需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)�。它采用表面貼裝封裝形式,支持大電流和高電壓操作�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�8A
柵極閾值電壓:1.5V~4V
�(dǎo)通電阻:70mΩ(典型值)
開關(guān)頻率:高�(dá)5MHz
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
GA0805A8R2CXEBP31G 擁有卓越的電氣性能,包括低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
其基� GaN 的材料結(jié)�(gòu)具備更高的擊穿電�(chǎng)�(qiáng)度和熱導(dǎo)率,相比傳統(tǒng)硅器件在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)更加�(yōu)��
此外,該芯片還具有良好的電磁兼容性和抗噪能力,使其適合復(fù)雜環(huán)境下的工�(yè)和消�(fèi)類應(yīng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于高頻 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電模�、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路以及電動(dòng)汽車充電�(shè)備等�
在電信基�(chǔ)�(shè)施領(lǐng)域,它可以用于基站電源和信號(hào)放大�;在消費(fèi)電子�(lǐng)�,適合于快充適配器和筆記本電腦電源設(shè)�(jì)�
GA0805A8R2CXBQ21G
GA0805A8R2CXEBP11G