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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805A8R2CXEBP31G

GA0805A8R2CXEBP31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 18:26:58 查看 閱讀�8

GA0805A8R2CXEBP31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,屬于增�(qiáng)型高電子遷移率晶體管(HEMT�。該型號(hào)以其高效�、高頻開�(guān)能力及緊湊尺寸著�,適用于需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)�。它采用表面貼裝封裝形式,支持大電流和高電壓操作�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�8A
  柵極閾值電壓:1.5V~4V
  �(dǎo)通電阻:70mΩ(典型值)
  開關(guān)頻率:高�(dá)5MHz
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

GA0805A8R2CXEBP31G 擁有卓越的電氣性能,包括低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  其基� GaN 的材料結(jié)�(gòu)具備更高的擊穿電�(chǎng)�(qiáng)度和熱導(dǎo)率,相比傳統(tǒng)硅器件在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)更加�(yōu)��
  此外,該芯片還具有良好的電磁兼容性和抗噪能力,使其適合復(fù)雜環(huán)境下的工�(yè)和消�(fèi)類應(yīng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于高頻 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電模�、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路以及電動(dòng)汽車充電�(shè)備等�
  在電信基�(chǔ)�(shè)施領(lǐng)域,它可以用于基站電源和信號(hào)放大�;在消費(fèi)電子�(lǐng)�,適合于快充適配器和筆記本電腦電源設(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

GA0805A8R2CXBQ21G
  GA0805A8R2CXEBP11G

ga0805a8r2cxebp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容8.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-