GA0805A8R2CBEBR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高�、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電源適配器以及其他需要高性能功率管理的場��
相比傳統(tǒng)的硅� MOSFET,GaN 器件能夠在更高的頻率下運(yùn)�,同�(shí)保持較低的損耗,從而顯著提高系�(tǒng)的效率和功率密度�
型號:GA0805A8R2CBEBR31G
類型:GaN HEMT
封裝:Chipscale Package (CSP)
最大漏源電壓:650V
最大柵極電壓:6V
�(dǎo)通電阻(典型值)�40mΩ
連續(xù)漏極電流�8A
開關(guān)頻率范圍:高�(dá) 5MHz
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
GA0805A8R2CBEBR31G 的主要特性包括:
1. 高效性能:得益于 GaN 技�(shù),該器件在高頻操作中表現(xiàn)出卓越的效率和更低的熱損��
2. 快速開�(guān)速度:與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,其開關(guān)速度更快,能夠支持更高的工作頻率,從而減小無源元件的尺寸�
3. 低寄生電感:采用 CSP 封裝,最大限度地減少了寄生效�(yīng),提高了整體性能�
4. 緊湊型設(shè)�(jì):由于其高頻能力,可�(shí)�(xiàn)更小型化的功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測試,確保在寬泛的工作溫度范圍�(nèi)具備出色的穩(wěn)定性和耐用��
這些特性使 GA0805A8R2CBEBR31G 成為�(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
GA0805A8R2CBEBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 電源適配器:用于便攜式設(shè)備如筆記本電腦和智能手機(jī)的充電解決方��
2. �(shù)�(jù)中心電源:提供高效的 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換功��
3. 汽車電子:適用于電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
4. 工業(yè)電源:用于高效率、高密度的工�(yè)級電源供�(yīng)�
5. 可再生能源:例如太陽能逆變器中的功率模��
通過利用其高頻和高效性能,該器件可幫助設(shè)�(jì)工程師實(shí)�(xiàn)更緊�、更輕量化且更具成本效益的電力電子系�(tǒng)�
GAN0805A8R2CBEBR21G
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