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GA0805A8R2CBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 17:32:49 查看 閱讀�17

GA0805A8R2CBEBR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高�、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電源適配器以及其他需要高性能功率管理的場��
  相比傳統(tǒng)的硅� MOSFET,GaN 器件能夠在更高的頻率下運(yùn)�,同�(shí)保持較低的損耗,從而顯著提高系�(tǒng)的效率和功率密度�

參數(shù)

型號:GA0805A8R2CBEBR31G
  類型:GaN HEMT
  封裝:Chipscale Package (CSP)
  最大漏源電壓:650V
  最大柵極電壓:6V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�40mΩ
  連續(xù)漏極電流�8A
  開關(guān)頻率范圍:高�(dá) 5MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

GA0805A8R2CBEBR31G 的主要特性包括:
  1. 高效性能:得益于 GaN 技�(shù),該器件在高頻操作中表現(xiàn)出卓越的效率和更低的熱損��
  2. 快速開�(guān)速度:與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,其開關(guān)速度更快,能夠支持更高的工作頻率,從而減小無源元件的尺寸�
  3. 低寄生電感:采用 CSP 封裝,最大限度地減少了寄生效�(yīng),提高了整體性能�
  4. 緊湊型設(shè)�(jì):由于其高頻能力,可�(shí)�(xiàn)更小型化的功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測試,確保在寬泛的工作溫度范圍�(nèi)具備出色的穩(wěn)定性和耐用��
  這些特性使 GA0805A8R2CBEBR31G 成為�(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA0805A8R2CBEBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電源適配器:用于便攜式設(shè)備如筆記本電腦和智能手機(jī)的充電解決方��
  2. �(shù)�(jù)中心電源:提供高效的 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換功��
  3. 汽車電子:適用于電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  4. 工業(yè)電源:用于高效率、高密度的工�(yè)級電源供�(yīng)�
  5. 可再生能源:例如太陽能逆變器中的功率模��
  通過利用其高頻和高效性能,該器件可幫助設(shè)�(jì)工程師實(shí)�(xiàn)更緊�、更輕量化且更具成本效益的電力電子系�(tǒng)�

替代型號

GAN0805A8R2CBEBR21G
  GAN0806A8R2CBEBR31G

ga0805a8r2cbebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容8.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-