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GA0805A820JBABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 11:59:57 查看 閱讀�14

GA0805A820JBABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電�、電機驅動和DC-DC轉換等應用。該芯片具有低導通電阻和高電流處理能�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款器件采用先進的制造工�,具備出色的熱性能和電氣特性,非常適合需要高效能和可靠性的工業(yè)及消費類電子應用�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  電壓(Vds)�60V
  電流(Id)�90A
  導通電�(Rds(on))�2.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�45nC
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝:TO-247

特�

GA0805A820JBABR31G的主要特性包括:
  - 極低的導通電�(2.5mΩ),可顯著降低傳導損耗�
  - 高電流承載能�,支持高�90A的連續(xù)漏極電流�
  - 快速開關速度,柵極電荷僅�45nC,適合高頻應��
  - 具備強大的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
  - 良好的靜電防護設計,提高了器件的魯棒��
  - 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛�

應用

該芯片適用于多種應用場景,包括但不限于:
  - 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
  - DC-DC轉換器中的功率開關元��
  - 電機驅動電路中的功率級控制�
  - 工業(yè)自動化設備中的負載切��
  - 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開關應��

替代型號

GA0805A810JBAR31G
  IRF3205
  FDP057N06L

ga0805a820jbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)停產
  • 電容82 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-