GA0805A820JBABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電�、電機驅動和DC-DC轉換等應用。該芯片具有低導通電阻和高電流處理能�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
這款器件采用先進的制造工�,具備出色的熱性能和電氣特性,非常適合需要高效能和可靠性的工業(yè)及消費類電子應用�
類型:N溝道 MOSFET
電壓(Vds)�60V
電流(Id)�90A
導通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝:TO-247
GA0805A820JBABR31G的主要特性包括:
- 極低的導通電�(2.5mΩ),可顯著降低傳導損耗�
- 高電流承載能�,支持高�90A的連續(xù)漏極電流�
- 快速開關速度,柵極電荷僅�45nC,適合高頻應��
- 具備強大的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
- 良好的靜電防護設計,提高了器件的魯棒��
- 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛�
該芯片適用于多種應用場景,包括但不限于:
- 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
- DC-DC轉換器中的功率開關元��
- 電機驅動電路中的功率級控制�
- 工業(yè)自動化設備中的負載切��
- 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開關應��
GA0805A810JBAR31G
IRF3205
FDP057N06L