GA0805A680JXEBP31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及電機驅(qū)動等場景。該芯片采用先進的半導體制造工藝,具有低導通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,能夠有效提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
該器件屬于溝道增強型MOSFET,通過優(yōu)化設計實現(xiàn)了更低的功耗和更高的可靠性。其封裝形式為小型化表面貼裝類型,便于在緊湊型設計中使用。
型號:GA0805A680JXEBP31G
類別:功率MOSFET
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
最大漏源電壓(Vds):30V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):45A
總功耗:75W
封裝形式:TO-252(DPAK)
工作溫度范圍:-55°C至+150°C
結(jié)溫:150°C
GA0805A680JXEBP31G具備以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠顯著減少導通損耗,適用于高效率應用。
2. 高速開關(guān)性能,支持高頻操作,適合開關(guān)電源及DC-DC轉(zhuǎn)換器。
3. 優(yōu)秀的熱性能,能夠承受較高的結(jié)溫,提高系統(tǒng)可靠性。
4. 強大的過流能力,可承受高達45A的連續(xù)漏極電流。
5. 寬工作溫度范圍,適應惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該器件廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設計中的功率開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率元件。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)和保護電路。
4. 工業(yè)控制設備中的電機驅(qū)動電路。
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制。
6. 各種便攜式電子設備的高效電源管理方案。
GA0805A680JXEBP31H, GA0805A680JXEBP31F