GA0805A560GBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電路等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能等特�(diǎn)�
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適用于需要快速開(kāi)�(guān)和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器和�(fù)載開(kāi)�(guān)�。其封裝形式和電氣特性經(jīng)�(guò)�(yōu)化,能夠�(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�24A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�48nC
�(kāi)�(guān)速度:超�
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-220
GA0805A560GBEBR31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠顯著降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. �(qiáng)大的浪涌電流能力,增�(qiáng)了器件的可靠��
4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和散熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于多種工�(yè)�(lǐng)域�
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高了�(chǎn)品的抗靜電能力�
該芯片廣泛用于各種電力電子設(shè)備中,典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是�(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 控制�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于充放電控制�
4. 電動(dòng)工具和家用電器中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
IRFZ44N
STP24NF06
FDP18N06L