GA0805A560GBABT31G 是一款基于 GaN(氮化鎵)技術(shù)的功率晶體管,主要用于高頻和高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),能夠提供出色的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。它適用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器以及各種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備中的高效能需求場(chǎng)景。
這款芯片以其快速的開(kāi)關(guān)速度和較低的電磁干擾特性而著稱(chēng),同時(shí)在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性也非常出色。由于其高效率和緊湊尺寸的特點(diǎn),使其成為替代傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想選擇。
型號(hào):GA0805A560GBABT31G
類(lèi)型:GaN 功率晶體管
額定電壓:650V
額定電流:80A
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷:20nC
反向恢復(fù)時(shí)間:≤10ns
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
封裝形式:TO-247
GA0805A560GBABT31G 具備卓越的高頻性能,能夠顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,從而提升系統(tǒng)的整體效率。其內(nèi)部集成了保護(hù)電路,可有效防止過(guò)流和短路情況的發(fā)生。此外,該器件還具備以下特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,支持高達(dá) 2MHz 的工作頻率。
3. 熱性能優(yōu)異,在高負(fù)載條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 小型化設(shè)計(jì),便于在空間受限的應(yīng)用中使用。
5. 高可靠性,滿(mǎn)足嚴(yán)苛的工作環(huán)境要求。
GA0805A560GBABT31G 廣泛應(yīng)用于各類(lèi)需要高效率和高性能的電力電子領(lǐng)域,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. 數(shù)據(jù)中心及通信基站的電源模塊。
2. 太陽(yáng)能逆變器與風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)。
3. 電動(dòng)汽車(chē)充電設(shè)施(如快充樁)。
4. 工業(yè)級(jí)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和伺服控制器。
5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的適配器和充電器。
6. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。
GA0805A560GBABT32G
GA0805A560GBABT33G