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GA0805A560GBABT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 5:34:26 查看 閱讀:11

GA0805A560GBABT31G 是一款基于 GaN(氮化鎵)技術(shù)的功率晶體管,主要用于高頻和高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),能夠提供出色的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。它適用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器以及各種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備中的高效能需求場(chǎng)景。
  這款芯片以其快速的開(kāi)關(guān)速度和較低的電磁干擾特性而著稱(chēng),同時(shí)在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性也非常出色。由于其高效率和緊湊尺寸的特點(diǎn),使其成為替代傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想選擇。

參數(shù)

型號(hào):GA0805A560GBABT31G
  類(lèi)型:GaN 功率晶體管
  額定電壓:650V
  額定電流:80A
  導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷:20nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:≤10ns
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
  封裝形式:TO-247

特性

GA0805A560GBABT31G 具備卓越的高頻性能,能夠顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,從而提升系統(tǒng)的整體效率。其內(nèi)部集成了保護(hù)電路,可有效防止過(guò)流和短路情況的發(fā)生。此外,該器件還具備以下特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,支持高達(dá) 2MHz 的工作頻率。
  3. 熱性能優(yōu)異,在高負(fù)載條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 小型化設(shè)計(jì),便于在空間受限的應(yīng)用中使用。
  5. 高可靠性,滿(mǎn)足嚴(yán)苛的工作環(huán)境要求。

應(yīng)用

GA0805A560GBABT31G 廣泛應(yīng)用于各類(lèi)需要高效率和高性能的電力電子領(lǐng)域,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. 數(shù)據(jù)中心及通信基站的電源模塊。
  2. 太陽(yáng)能逆變器與風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)。
  3. 電動(dòng)汽車(chē)充電設(shè)施(如快充樁)。
  4. 工業(yè)級(jí)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和伺服控制器。
  5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的適配器和充電器。
  6. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。

替代型號(hào)

GA0805A560GBABT32G
  GA0805A560GBABT33G

ga0805a560gbabt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容56 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-