時(shí)間：2025/5/21 13:41:26
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GA0805A3R9DBEBT31G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高性能功率晶體管，專為高頻、高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的封裝工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于電源轉(zhuǎn)換、無線充電、激光雷達(dá)以及其他需要高能效的場景。
其內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化了寄生電感和電容效應(yīng)，能夠有效減少開關(guān)損耗，并提供卓越的熱性能表現(xiàn)。此外，它還支持寬范圍的工作電壓和電流，適合各種復(fù)雜電路需求。
型號(hào)：GA0805A3R9DBEBT31G
類型：增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 (e-mode FET)
材料：氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓：650 V
連續(xù)漏極電流：8 A
導(dǎo)通電阻：35 mΩ（典型值，25°C）
柵極電荷：70 nC（典型值）
開關(guān)頻率：高達(dá) 5 MHz
結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-247 或 DFN8
GA0805A3R9DBEBT31G 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和柵極電荷 (Qg)，確保在高頻條件下實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行。
2. 超快的開關(guān)速度，減少了死區(qū)時(shí)間和動(dòng)態(tài)損耗。
3. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)了芯片在實(shí)際應(yīng)用中的魯棒性。
4. 高耐壓能力，使其能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定工作。
5. 支持零電壓切換 (ZVS) 技術(shù)，進(jìn)一步提升系統(tǒng)效率。
6. 小巧的封裝尺寸結(jié)合優(yōu)秀的散熱性能，方便設(shè)計(jì)人員進(jìn)行緊湊型布局。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
這款 GaN 功率晶體管廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 快速充電適配器和 USB-PD 控制器。
3. 無線功率傳輸設(shè)備，例如智能手機(jī)和平板電腦的無線充電器。
4. 激光雷達(dá) (LiDAR) 系統(tǒng)中的脈沖驅(qū)動(dòng)電路。
5. 工業(yè)級(jí)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器。
6. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源模塊。
7. 光伏微逆變器和其他可再生能源解決方案。
GAN008-650WSA, GS66508B
