GA0805A390KBEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,適用于要求高效率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)�。通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和材料選擇,這款芯片能夠在高頻工作條件下提供卓越的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�5.4A
�(dǎo)通電阻:39mΩ
柵極電荷�15nC
開關(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=12ns
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
GA0805A390KBEBR31G具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用,減少開關(guān)損��
3. 高可靠性設(shè)�(jì),能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定工作�
4. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間,便于緊湊型�(shè)�(jì)�
5. 具備良好的熱性能,有助于延長(zhǎng)器件壽命并提升整體可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
該芯片廣泛應(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,具體包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)
5. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
6. 通信�(shè)備中的電源管理模�
這些�(yīng)用場(chǎng)景均需要高效能、高可靠性的功率開關(guān)解決方案,而GA0805A390KBEBR31G正是理想的選擇�
GA0805A390KBER31G
IRF740
FDP015N06L