GA0805A390FBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應用于高效率電源轉換、DC-DC 轉換器和負載開關等場景。該芯片采用了先進的半導體制造工藝,具有低導通電阻、高開關速度和優(yōu)異的熱性能。此外,該器件還具備強大的抗浪涌能力和可靠性,適用于各種工業(yè)和消費類電子設備。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,其設計旨在優(yōu)化系統(tǒng)效率并減少能量損耗,非常適合需要高功率密度的應用場合。
型號:GA0805A390FBABT31G
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):30V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):74A
導通電阻(Rds(on)):3.9mΩ
柵極電荷(Qg):38nC
總電容(Ciss):2600pF
工作溫度范圍:-55℃至175℃
封裝形式:TO-247
GA0805A390FBABT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠有效降低功率損耗,提高整體系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流能力,支持高達 74A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率應用需求。
3. 快速開關性能,得益于較小的柵極電荷 (Qg),可顯著減少開關損耗。
4. 寬泛的工作溫度范圍,從 -55°C 到 +175°C,適應多種惡劣環(huán)境條件。
5. 緊湊且堅固的 TO-247 封裝設計,提供良好的散熱性能和機械強度。
6. 抗雪崩能力出色,確保在異常條件下依然可靠運行。
7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設計。
該 MOSFET 廣泛用于以下領域:
1. 開關模式電源 (SMPS) 中的主開關管。
2. DC-DC 轉換器中的同步整流管或高端開關。
3. 工業(yè)電機驅動電路中的功率級元件。
4. 太陽能逆變器中的功率轉換模塊。
5. 電動車及混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和 DC-DC 轉換。
6. 各種負載開關和保護電路,如服務器、通信設備等高功率應用。
GA0805A390FBABT30G, IRF3710, FDP150N30SLE