GA0805A390FBABR31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,專(zhuān)為高�、高效率�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用增強(qiáng)� GaN HEMT �(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于電源管�、DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)�(xiàn)充電器以及其他高性能電力電子�(shè)��
由于其出色的性能,GA0805A390FBABR31G 在減少能量損耗和提高系統(tǒng)效率方面表現(xiàn)�(yōu)異,同時(shí)支持更高的工作頻�,從而可以縮小無(wú)源元件的尺寸并降低整體系�(tǒng)的成本與體積�
型號(hào):GA0805A390FBABR31G
�(lèi)型:增強(qiáng)� GaN 功率晶體�
工作電壓�650V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:39mΩ(典型值)
柵極電荷�75nC(最大值)
反向恢復(fù)電荷:無(wú)(由� GaN 的結(jié)�(gòu)特性)
工作溫度范圍�-40� � +125�
封裝形式:TO-247-3
1. 高擊穿電壓:高達(dá) 650V 的耐壓能力確保� GA0805A390FBABR31G 可以在高壓環(huán)境中�(wěn)定運(yùn)行�
2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為 39mΩ 的典型導(dǎo)通電阻使得傳�(dǎo)損耗顯著降�,提高了整體效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度:得益于 GaN 技�(shù)的固有優(yōu)�(shì),該器件擁有極短的開(kāi)�(guān)�(shí)間和低柵極電�,適用于高頻�(yīng)��
4. 零反向恢�(fù)電荷:由� GaN 的獨(dú)特物理特�,該器件不存在傳�(tǒng) Si MOSFET 中的反向恢復(fù)�(wèn)�,�(jìn)一步提升了效率�
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在 -40� � +125� 的寬溫范圍內(nèi)正常工作,適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)��
6. 小型化設(shè)�(jì):通過(guò)使用更少的無(wú)源元�,幫助設(shè)�(jì)者減小整體系�(tǒng)尺寸�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
適用于高效率 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器,特別是在需要高頻工作的�(chǎng)景中�
2. 圖形卡供電:
為高性能 GPU 提供高效且緊湊的電源解決方案�
3. �(shù)�(jù)中心電源�
用于�(shù)�(jù)中心服務(wù)器的高效電源�(zhuǎn)�,提升能源利用率�
4. �(wú)�(xiàn)充電�
支持更高功率的無(wú)�(xiàn)充電�(shè)備,�(shí)�(xiàn)快速充電功能�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
用于工業(yè)控制中的高效逆變器和變頻器設(shè)�(jì)�
6. 汽車(chē)電子�
�(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)�(chē)載充電器(OBC)以� DC-DC �(zhuǎn)換器,滿(mǎn)足汽�(chē)�(jí)可靠性要��
GAN063-650WSA
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