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GA0805A271JBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:48:56 查看 閱讀�7

GA0805A271JBABR31G 是一款由 Rohm 公司生產(chǎn)的功� MOSFET 芯片,屬� Advanced MOSFET 系列。該器件采用溝槽式技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等場景�
  這款芯片以高效率和可靠性著�,能夠在高頻�(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn),同�(shí)支持緊湊型設(shè)�(jì),適合對空間要求�(yán)格的�(xiàn)代電子設(shè)��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  封裝:LFPAK56 (Power-SO8)
  最大漏源電壓(Vds):40 V
  最大柵源電壓(Vgs):±20 V
  連續(xù)漏極電流(Id):113 A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.55 mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  總柵極電荷(Qg):29 nC
  切換頻率:高�(dá) 2 MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

GA0805A271JBABR31G 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使其在高效功率傳輸方面表現(xiàn)出色�
  此外,該器件還具備以下特�(diǎn)�
  - 極低的開�(guān)損耗,有助于提升系�(tǒng)整體效率�
  - 快速開�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用場��
  - 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和魯棒��
  - 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種設(shè)�(jì)��
  - 小型化封裝,節(jié)� PCB 空間,非常適合便攜式和高密度�(yīng)用�
  這些特點(diǎn)使得 GA0805A271JBABR31G 成為許多高性能功率�(zhuǎn)換電路的理想選擇�

�(yīng)�

GA0805A271JBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  - 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端和低端開�(guān)�
  - 電池保護(hù)和負(fù)載開�(guān),特別是在電動工具和工業(yè)�(shè)備中�
  - 電機(jī)�(qū)動電�,用于控制無刷直流電�(jī)(BLDC)和其他類型的電�(jī)�
  - 通信電源、服�(wù)器電源以及汽車電子系�(tǒng)的功率管理模塊�
  由于其高效率和緊湊設(shè)�(jì),該芯片特別適合需要小型化和高效能的現(xiàn)代電子產(chǎn)��

替代型號

GA0805A271JBAR31G
  IPA60R089P7S
  IRL3803TRPBF

ga0805a271jbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容270 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-