GA0805A271JBABR31G 是一款由 Rohm 公司生產(chǎn)的功� MOSFET 芯片,屬� Advanced MOSFET 系列。該器件采用溝槽式技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等場景�
這款芯片以高效率和可靠性著�,能夠在高頻�(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn),同�(shí)支持緊湊型設(shè)�(jì),適合對空間要求�(yán)格的�(xiàn)代電子設(shè)��
類型:N溝道 MOSFET
封裝:LFPAK56 (Power-SO8)
最大漏源電壓(Vds):40 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
連續(xù)漏極電流(Id):113 A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.55 mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
總柵極電荷(Qg):29 nC
切換頻率:高�(dá) 2 MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA0805A271JBABR31G 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這使其在高效功率傳輸方面表現(xiàn)出色�
此外,該器件還具備以下特�(diǎn)�
- 極低的開�(guān)損耗,有助于提升系�(tǒng)整體效率�
- 快速開�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用場��
- 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和魯棒��
- 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種設(shè)�(jì)��
- 小型化封裝,節(jié)� PCB 空間,非常適合便攜式和高密度�(yīng)用�
這些特點(diǎn)使得 GA0805A271JBABR31G 成為許多高性能功率�(zhuǎn)換電路的理想選擇�
GA0805A271JBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
- 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)�
- DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端和低端開�(guān)�
- 電池保護(hù)和負(fù)載開�(guān),特別是在電動工具和工業(yè)�(shè)備中�
- 電機(jī)�(qū)動電�,用于控制無刷直流電�(jī)(BLDC)和其他類型的電�(jī)�
- 通信電源、服�(wù)器電源以及汽車電子系�(tǒng)的功率管理模塊�
由于其高效率和緊湊設(shè)�(jì),該芯片特別適合需要小型化和高效能的現(xiàn)代電子產(chǎn)��
GA0805A271JBAR31G
IPA60R089P7S
IRL3803TRPBF