GA0805A271FXEBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于電源管理、開關電源和電機驅動等應�。該芯片采用了先進的溝槽式技�,具備低導通電�、高開關速度以及�(yōu)異的熱性能�
此器件特別適用于需要高效能和低損耗的應用場景,例� DC-DC 轉換�、電池充電器� LED �-252(DPAK),能夠有效提高散熱效率,確保在高負載條件下的穩(wěn)定性�
類型:MOSFET
極性:N-Channel
漏源電壓(Vdss)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�5.4A
柵極電荷(Qg)�10nC
導通電�(Rds(on))�0.035Ω
功�(Ptot)�1.3W
工作溫度范圍(Ta)�-55� to +150�
封裝:TO-252(DPAK)
GA0805A271FXEBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),僅� 0.035Ω,顯著降低傳導損��
2. 高速開關性能,柵極電荷僅� 10nC,適合高頻應用�
3. 采用 TO-252 封裝,具有良好的散熱性能,能夠在較高功率密度下運��
4. 工作溫度范圍�,從 -55� � +150�,適應各種環(huán)境條��
5. 提供�(yōu)異的 ESD 保護能力,增強了�(chǎn)品的可靠性�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設計�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關模式電源 (SMPS) � DC-DC 轉換器中的同步整��
2. 電池充電器和保護電路�
3. LED 驅動器和背光驅動�
4. 電機驅動和控制�
5. 各類消費電子設備中的電源管理模塊�
6. 工業(yè)自動化和汽車電子系統(tǒng)中的開關應用�
IRF540N
FDP5800
STP55NF06L