GA0805A221JXEBT31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,主要用于高頻和高效率的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Silicon 技�(shù),能夠提供更高的開關(guān)速度和更低的�(dǎo)通電�,適合于電源�(zhuǎn)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及各類高頻功率�(yīng)用�
該型�(hào)中的部分字符代表了具體的封裝形式、電壓等�(jí)、電流能力以及其他特定參�(shù),例如工作溫度范圍和性能�(yōu)化方��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:220mΩ
柵極電荷�35nC
反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于� GaN 器件,無體二極管�
開關(guān)頻率:高�(dá) 5MHz
�(jié)溫范圍:-40� � +150�
GA0805A221JXEBT31G 具備卓越的高頻性能和低損耗特�(diǎn),主要特性如下:
1. 高開�(guān)速度:得益于氮化鎵材料的特�,其開關(guān)速度�(yuǎn)超傳�(tǒng)硅基 MOSFET,支� MHz �(jí)別的工作頻率�
2. 極低�(dǎo)通電阻:220mΩ � Rds(on) 確保了在大電流應(yīng)用場(chǎng)景下的低功��
3. 高效率:適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)�?fù)?,顯著提升系�(tǒng)整體效率�
4. 小型化設(shè)�(jì):GaN 技�(shù)允許更小的芯片尺�,同�(shí)保持高性能�
5. 可靠性高:具備良好的熱穩(wěn)定性和抗電磁干擾能�,適合嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)��
該元器件廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):
- AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器
- PFC(功率因�(shù)校正)電�
2. 快速充電器�
- USB-PD 充電�
- 小型高效充電模塊
3. 無線充電�
- 高效諧振電路
4. 激光雷�(dá)和其他高頻信�(hào)處理�
- 脈沖�(diào)制電�
- 微波功率放大�
5. 工業(yè)�(yīng)用:
- LED �(qū)�(dòng)�
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 不間斷電源(UPS�
GA0805A221JXEBT32G, GA0805A221JXEBT30G