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GA0805A182FBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 17:37:17 查看 閱讀�22

GA0805A182FBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低能��
  這款芯片適用于高頻率工作�(huán)�,其出色的熱性能和可靠性使其成為多種工�(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):GA0805A182FBABR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源極電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  Id(連續(xù)漏極電流):90A
  Qg(柵極電荷)�38nC
  EAS(雪崩能量)�2.7mJ
  fT(特征頻率)�3.3MHz
  封裝形式:TO-247-3L

特�

GA0805A182FBABR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,有助于減小磁性元件體��
  3. 出色的熱性能,確保在高功率應(yīng)用場景下的穩(wěn)定運(yùn)��
  4. �(qiáng)大的雪崩能力,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品需��
  6. 可靠的電氣性能和長壽命�(shè)�(jì),適用于�(yán)苛的工作�(huán)��

�(yīng)�

GA0805A182FBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,包括直流無刷電�(jī)控制�
  3. 太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的�(dòng)力管理系�(tǒng)�
  6. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)與實(shí)�(xiàn)�

替代型號(hào)

GA0805A182FBABR31G-A, IRF840, STP90NF06

ga0805a182fbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-