GA0805A182FBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低能��
這款芯片適用于高頻率工作�(huán)�,其出色的熱性能和可靠性使其成為多種工�(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
型號(hào):GA0805A182FBABR31G
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
Id(連續(xù)漏極電流):90A
Qg(柵極電荷)�38nC
EAS(雪崩能量)�2.7mJ
fT(特征頻率)�3.3MHz
封裝形式:TO-247-3L
GA0805A182FBABR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,有助于減小磁性元件體��
3. 出色的熱性能,確保在高功率應(yīng)用場景下的穩(wěn)定運(yùn)��
4. �(qiáng)大的雪崩能力,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品需��
6. 可靠的電氣性能和長壽命�(shè)�(jì),適用于�(yán)苛的工作�(huán)��
GA0805A182FBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,包括直流無刷電�(jī)控制�
3. 太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的�(dòng)力管理系�(tǒng)�
6. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)與實(shí)�(xiàn)�
GA0805A182FBABR31G-A, IRF840, STP90NF06