GA0805A181KXBBC31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技術的高效率功率晶體管。該器件采用先進的封裝技術,適用于高頻開關應�,如電源適配器、無線充電設備和 LED 驅動器等。其卓越的性能來源于氮化鎵材料的低電阻特性和快速開關能�,從而實�(xiàn)更高的功率密度和更小的體積設��
GaN 器件相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 具有更低的導通損耗和開關損�,這使� GA0805A181KXBBC31G 在高頻工作條件下表現(xiàn)尤為出色�
型號:GA0805A181KXBBC31G
類型:增強型功率晶體�
材料:GaN(氮化鎵�
最大漏源電壓:650 V
最大連續(xù)漏極電流�8 A
柵極閾值電壓:1.5 V - 3 V
RDS(on)(典型值)�18 mΩ
總功耗:200 W
封裝形式:DFN8 (2x2mm)
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
1. 高效開關能力:得益于 GaN 材料的獨特優(yōu)�,此器件在高頻條件下表現(xiàn)出極低的開關損��
2. 小尺寸設計:采用 DFN8 封裝,節(jié)� PCB 空間并支持緊湊型產品設計�
3. 快速開關速度:具有極短的開關時間,可顯著降低能量損失�
4. 耐高溫性能:能夠在高達 125°C 的環(huán)境溫度下�(wěn)定運��
5. 強大的保護功能:集成過溫保護及過流保護,確保系統(tǒng)可靠��
6. 易于驅動:低柵極電荷設計簡化了驅動電路的設計要求�
1. 消費類電子產品的快充解決方案�
2. 中小功率 DC-DC 轉換器和 AC-DC 適配��
3. 無線充電�(fā)射端和接收端模塊�
4. LED 照明驅動器中的高效轉換部��
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6. 工業(yè)自動化設備中的高頻電源轉換模��
GAN008-650WSA
GS66508B
TX810GAN