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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA0805A181KXBBC31G

GA0805A181KXBBC31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 11:49:54 查看 閱讀�21

GA0805A181KXBBC31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技術的高效率功率晶體管。該器件采用先進的封裝技術,適用于高頻開關應�,如電源適配器、無線充電設備和 LED 驅動器等。其卓越的性能來源于氮化鎵材料的低電阻特性和快速開關能�,從而實�(xiàn)更高的功率密度和更小的體積設��
  GaN 器件相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 具有更低的導通損耗和開關損�,這使� GA0805A181KXBBC31G 在高頻工作條件下表現(xiàn)尤為出色�

參數

型號:GA0805A181KXBBC31G
  類型:增強型功率晶體�
  材料:GaN(氮化鎵�
  最大漏源電壓:650 V
  最大連續(xù)漏極電流�8 A
  柵極閾值電壓:1.5 V - 3 V
  RDS(on)(典型值)�18 mΩ
  總功耗:200 W
  封裝形式:DFN8 (2x2mm)
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C

特�

1. 高效開關能力:得益于 GaN 材料的獨特優(yōu)�,此器件在高頻條件下表現(xiàn)出極低的開關損��
  2. 小尺寸設計:采用 DFN8 封裝,節(jié)� PCB 空間并支持緊湊型產品設計�
  3. 快速開關速度:具有極短的開關時間,可顯著降低能量損失�
  4. 耐高溫性能:能夠在高達 125°C 的環(huán)境溫度下�(wěn)定運��
  5. 強大的保護功能:集成過溫保護及過流保護,確保系統(tǒng)可靠��
  6. 易于驅動:低柵極電荷設計簡化了驅動電路的設計要求�

應用

1. 消費類電子產品的快充解決方案�
  2. 中小功率 DC-DC 轉換器和 AC-DC 適配��
  3. 無線充電�(fā)射端和接收端模塊�
  4. LED 照明驅動器中的高效轉換部��
  5. 可再生能源領域的微型逆變��
  6. 工業(yè)自動化設備中的高頻電源轉換模��

替代型號

GAN008-650WSA
  GS66508B
  TX810GAN

ga0805a181kxbbc31g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ga0805a181kxbbc31g參數

  • �(xiàn)有數�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容180 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-