最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：8A
　　導(dǎo)通電阻：180mΩ
　　柵極電荷：45nC
　　輸入電容：1200pF
　　反向恢復(fù)時(shí)間：<50ns
　　工作溫度范圍：-40℃至+125℃

GA0805A180KBEBT31G 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
　　1. 采用先進(jìn)的 GaN 材料，具備更高的電子遷移率和擊穿場(chǎng)強(qiáng)，相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 性能更優(yōu)。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有效降低傳導(dǎo)損耗。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)能力，支持高達(dá)數(shù) MHz 的開(kāi)關(guān)頻率，適用于高頻 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
　　4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
　　5. 小型化的封裝設(shè)計(jì)，便于在緊湊型 PCB 上布局。
　　6. 具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能。

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電器和適配器，如快充頭。
　　2. 數(shù)據(jù)中心及通信基站中的高效電源模塊。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他需要高頻高效能量轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。
　　5. 筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理系統(tǒng)。
　　由于其優(yōu)異的性能，尤其適合對(duì)效率、體積和成本敏感的應(yīng)用環(huán)境。

GAN063-650WSA
　　GAN1H65T6S
　　TPG2006P