GA0805A151KBEBR31G 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝制造的高效率功率放大器芯片,專為無(wú)線通信應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片適用于點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波無(wú)線電、VSAT 和其他寬帶射頻系統(tǒng)。它采用了先進(jìn)的匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)和線性化技術(shù),以確保在高頻段運(yùn)行時(shí)仍能保持出色的增益和穩(wěn)定性。
該型號(hào)的工作頻率范圍較廣,能夠滿足多種無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)的需求,同時(shí)具備良好的線性度和低噪聲性能。其封裝形式通常采用符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的小型表面貼裝封裝,便于集成到各類射頻模塊中。
工作頻率范圍:5.1 GHz - 5.8 GHz
輸出功率(Psat):27 dBm
增益:20 dB
效率:30 %
電源電壓:5 V
靜態(tài)電流:300 mA
輸入駐波比(VSWR):≤ 2.0
輸出駐波比(VSWR):≤ 2.0
封裝形式:SMD
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
1. 高效率設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)較低的功耗運(yùn)行,非常適合便攜式和電池供電設(shè)備。
2. 高增益性能確保信號(hào)強(qiáng)度在整個(gè)頻率范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。
3. 內(nèi)置匹配網(wǎng)絡(luò)簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì),減少了外部元件的數(shù)量。
4. 出色的線性度使其能夠有效減少信號(hào)失真,從而提升通信質(zhì)量。
5. 穩(wěn)定性優(yōu)異,在極端溫度條件下依然可以正常工作。
6. 小型化的封裝形式有助于縮小整體模塊尺寸,提高空間利用率。
1. 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波無(wú)線電通信系統(tǒng)
2. 衛(wèi)星通信終端(如 VSAT)
3. 寬帶無(wú)線接入系統(tǒng)
4. 軍用和民用雷達(dá)設(shè)備
5. 測(cè)試與測(cè)量?jī)x器中的射頻信號(hào)源
6. 5G 和其他新興無(wú)線通信基礎(chǔ)設(shè)施
GA0805A151KAEFR31G
GA0805A151KAEPR31G
GA0805A151KAEBR31F