型號(hào)：GA0805A151JXCBC31G
　　工藝：砷化鎵 pHEMT
　　工作頻率范圍：8 GHz 至 12 GHz
　　增益：15 dB
　　飽和輸出功率：20 dBm
　　電源電壓：3 V 至 5 V
　　靜態(tài)電流：100 mA
　　噪聲系數(shù)：3.5 dB
　　封裝形式：芯片級(jí)封裝 (CSP)
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C

GA0805A151JXCBC31G 具備以下顯著特性：
　　1. 高效率與高線性度：采用優(yōu)化的電路設(shè)計(jì)，在保證高輸出功率的同時(shí)，有效降低失真，適合多載波通信系統(tǒng)。
　　2. 寬帶工作能力：覆蓋 8 GHz 至 12 GHz 的頻率范圍，滿足多種射頻應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
　　3. 內(nèi)置匹配網(wǎng)絡(luò)：減少了外圍元件的數(shù)量，從而降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜性和生產(chǎn)成本。
　　4. 小型化設(shè)計(jì)：芯片級(jí)封裝使其非常適配于尺寸受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。
　　5. 穩(wěn)定性優(yōu)異：即使在極端溫度條件下，仍能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
　　6. 低功耗：靜態(tài)電流僅為 100 mA，有助于延長(zhǎng)電池供電設(shè)備的工作時(shí)間。

GA0805A151JXCBC31G 芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 衛(wèi)星通信系統(tǒng)：作為上行鏈路或下行鏈路中的功率放大器組件。
　　2. 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波無線電：用于提升數(shù)據(jù)傳輸速率和距離。
　　3. 軍用雷達(dá)系統(tǒng)：實(shí)現(xiàn)目標(biāo)探測(cè)和跟蹤功能的射頻信號(hào)放大。
　　4. 測(cè)試測(cè)量?jī)x器：為矢量信號(hào)發(fā)生器或頻譜分析儀提供高性能的射頻前端解決方案。
　　5. 5G 毫米波基站：支持高頻段通信基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，增強(qiáng)網(wǎng)絡(luò)容量和覆蓋范圍。
　　6. 無人機(jī)通信鏈路：保障遠(yuǎn)距離無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)馁|(zhì)量和可靠性。

GA0805A151JXCBB31G, GA0805A151JXCBD31G