GA0805A122JXABC31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效率功率晶體管,適用于高頻和高功率密度的應用場景。該器件采用先進的封裝工藝,具有低導通電阻、快速開關速度和高耐壓能力等特性,廣泛應用于電源轉換、射頻放大器以及工業(yè)控制等領域。
其設計優(yōu)化了熱性能和電氣性能,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少能量損耗。
型號:GA0805A122JXABC31G
類型:增強型功率晶體管
材料:氮化鎵(GaN)
最大漏源電壓(Vds):650V
連續(xù)漏極電流(Id):8A
導通電阻(Rds(on)):120mΩ
柵極電荷(Qg):40nC
開關頻率范圍:最高支持到10MHz
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247-4L
GA0805A122JXABC31G 的主要特點是利用氮化鎵材料的優(yōu)勢,提供更高的效率和更小的體積解決方案。
1. 高開關速度:由于其極低的柵極電荷,使得該晶體管在高頻應用中表現(xiàn)優(yōu)異,可以有效降低開關損耗。
2. 低導通電阻:120mΩ 的 Rds(on) 可以減少傳導損耗,從而提升整體效率。
3. 耐高壓能力:650V 的最大漏源電壓使其適用于多種高電壓場景。
4. 熱性能優(yōu)秀:優(yōu)化的封裝設計提高了散熱能力,允許在較高溫度下穩(wěn)定運行。
5. 小尺寸與輕量化:相比傳統(tǒng)硅基器件,GaN 技術可大幅減小系統(tǒng)的物理尺寸和重量。
GA0805A122JXABC31G 廣泛用于需要高效能和緊湊設計的領域:
1. 開關電源(SMPS)
2. 電機驅動控制器
3. 太陽能逆變器
4. 工業(yè)自動化設備中的功率模塊
5. 射頻功率放大器
6. 數(shù)據(jù)中心服務器電源
7. 電動汽車充電基礎設施
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