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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805A121FBABR31G

GA0805A121FBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 11:18:56 查看 閱讀�15

GA0805A121FBABR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,屬于溝道增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等高效率功率�(zhuǎn)換場(chǎng)景中。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和開關(guān)性能,能夠在高頻工作條件下提供高效的功率傳輸�
  該型�(hào)采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高電流承載能�,同�(shí)支持快速開�(guān)操作以降低開�(guān)損耗�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�25nC
  輸入電容�1250pF
  功耗:7W
  封裝形式:TO-263

特�

GA0805A121FBABR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(4.5mΩ�,能夠有效減少傳�(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,得益于較小的柵極電荷(25nC�,適合高頻應(yīng)��
  3. 熱穩(wěn)定性良好,能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定的性能輸出�
  4. 具備較強(qiáng)的抗浪涌電流能力,確保在�(fù)載突變時(shí)仍能可靠�(yùn)��
  5. 封裝形式� TO-263,易于安裝并提供良好的散熱性能�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. 電動(dòng)工具和小型電�(jī)�(qū)�(dòng)中的功率控制�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或開�(guān)元件�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)�
  5. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模塊�
  其高效性和可靠性使其成為眾多高功率密度�(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5580
  AOT292L

ga0805a121fbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-