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GA0805A101GBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 19:28:01 查看 閱讀�9

GA0805A101GBBBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高�、高效率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用增強(qiáng)� GaN HEMT �(jié)�(gòu),具備低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)特性和高擊穿電壓等�(yōu)�(shì),廣泛應(yīng)用于電源管理、通信�(shè)備和工業(yè)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域�
  其封裝形式為表面貼裝類型,適合自�(dòng)化生�(chǎn),并且具有良好的散熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)整體效率�

參數(shù)

型號(hào):GA0805A101GBBBR31G
  類型:GaN 功率晶體�
  Vds(漏源電壓)�650 V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�100 mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):8 A
  Qg(柵極電荷)�25 nC
  Ciss(輸入電容)�1450 pF
  Coss(輸出電容)�95 pF
  Eoss(輸出電荷能量)�11 nJ
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.5 V to 3 V
  工作溫度范圍�-55°C to 175°C

特�

1. 高效的開(kāi)�(guān)性能:得益于氮化鎵材料的�(dú)特屬�,GA0805A101GBBBR31G 的開(kāi)�(guān)速度�(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET,從而降低開(kāi)�(guān)損耗并提高效率�
  2. 超低�(dǎo)通電阻:� Rds(on) 值僅� 100 毫歐,大幅減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功耗�
  3. 快速動(dòng)�(tài)響應(yīng):極小的 Qg � Coss 參數(shù)使得器件在高頻工作條件下表現(xiàn)�(yōu)��
  4. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試流程,確保在惡劣環(huán)境下也能�(wěn)定運(yùn)��
  5. 緊湊的封裝設(shè)�(jì):表貼封裝不僅節(jié)省空間,還便于大�(guī)模制造和裝配�
  6. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -55°C � 175°C 的極端條�,適�(yīng)多種�(yīng)用環(huán)��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
  適用� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器,提供更高效的功率傳��
  2. 充電器與適配器:
  用于快充技�(shù),實(shí)�(xiàn)更高的充電速度和更低的�(fā)��
  3. �(wú)線電力傳輸:
  在諧振電路中作為�(guān)鍵組�,優(yōu)化能量傳遞效��
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  滿足高性能電機(jī)控制需�,提供精確的速度和扭矩調(diào)節(jié)�
  5. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:
  如基站功率放大器,提升信�(hào)�(zhì)量和覆蓋范圍�
  6. 光伏逆變器:
  通過(guò)高頻�(kāi)�(guān)能力增加太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換效��

替代型號(hào)

GA0805A101GBBBR21G
  GA0805A101GBBBR41G

ga0805a101gbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容100 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-