GA0805A101GBBBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高�、高效率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用增強(qiáng)� GaN HEMT �(jié)�(gòu),具備低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)特性和高擊穿電壓等�(yōu)�(shì),廣泛應(yīng)用于電源管理、通信�(shè)備和工業(yè)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域�
其封裝形式為表面貼裝類型,適合自�(dòng)化生�(chǎn),并且具有良好的散熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)整體效率�
型號(hào):GA0805A101GBBBR31G
類型:GaN 功率晶體�
Vds(漏源電壓)�650 V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�100 mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):8 A
Qg(柵極電荷)�25 nC
Ciss(輸入電容)�1450 pF
Coss(輸出電容)�95 pF
Eoss(輸出電荷能量)�11 nJ
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.5 V to 3 V
工作溫度范圍�-55°C to 175°C
1. 高效的開(kāi)�(guān)性能:得益于氮化鎵材料的�(dú)特屬�,GA0805A101GBBBR31G 的開(kāi)�(guān)速度�(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET,從而降低開(kāi)�(guān)損耗并提高效率�
2. 超低�(dǎo)通電阻:� Rds(on) 值僅� 100 毫歐,大幅減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功耗�
3. 快速動(dòng)�(tài)響應(yīng):極小的 Qg � Coss 參數(shù)使得器件在高頻工作條件下表現(xiàn)�(yōu)��
4. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試流程,確保在惡劣環(huán)境下也能�(wěn)定運(yùn)��
5. 緊湊的封裝設(shè)�(jì):表貼封裝不僅節(jié)省空間,還便于大�(guī)模制造和裝配�
6. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -55°C � 175°C 的極端條�,適�(yīng)多種�(yīng)用環(huán)��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
適用� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器,提供更高效的功率傳��
2. 充電器與適配器:
用于快充技�(shù),實(shí)�(xiàn)更高的充電速度和更低的�(fā)��
3. �(wú)線電力傳輸:
在諧振電路中作為�(guān)鍵組�,優(yōu)化能量傳遞效��
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
滿足高性能電機(jī)控制需�,提供精確的速度和扭矩調(diào)節(jié)�
5. 通信基礎(chǔ)�(shè)施:
如基站功率放大器,提升信�(hào)�(zhì)量和覆蓋范圍�
6. 光伏逆變器:
通過(guò)高頻�(kāi)�(guān)能力增加太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換效��
GA0805A101GBBBR21G
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