時間：2025/5/22 2:03:48
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GA0805A100JBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，屬于溝槽式 MOSFET 系列。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，適用于各種高效能電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動應(yīng)用。
該器件使用 TO-263 封裝形式，支持表面貼裝技術(shù) (SMD)，使其非常適合需要高可靠性和緊湊設(shè)計的應(yīng)用場景。
型號：GA0805A100JBEBR31G
封裝：TO-263
最大漏源電壓（Vds）：100V
最大柵源電壓（Vgs）：±20V
連續(xù)漏極電流（Id）：8.7A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：10mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時）
功耗（Ptot）：24W
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
GA0805A100JBEBR31G 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有效降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)性能，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻應(yīng)用，減少磁性元件體積。
3. 強大的雪崩能力，增強器件在異常條件下的耐用性。
4. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管，優(yōu)化了續(xù)流性能并降低了開關(guān)噪聲。
5. 良好的熱性能和可靠性，確保在嚴(yán)苛環(huán)境下長期穩(wěn)定運行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)要求。
該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和功率因數(shù)校正（PFC）。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，尤其是筆記本電腦適配器和通信電源。
3. 電機驅(qū)動電路，包括無刷直流電機（BLDC）和步進(jìn)電機控制。
4. 汽車電子設(shè)備，如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）和車身控制系統(tǒng)。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
6. 其他需要高效功率管理的應(yīng)用場景。
GA0805A100JBE, IRF840, FQP17N10
