型號(hào)：GA0805A100GXABP31G
　　類型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　最大連續(xù)漏極電流(Id)：94A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.2mΩ（典型值）
　　總功耗(Ptot)：175W
　　結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-247-3

GA0805A100GXABP31G 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠顯著減少導(dǎo)通損耗。
　　2. 快速的開(kāi)關(guān)速度，支持高頻工作環(huán)境。
　　3. 高電流處理能力，適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
　　4. 具備出色的熱性能，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 優(yōu)秀的抗靜電能力，確保了器件在使用過(guò)程中的可靠性。
　　6. 封裝堅(jiān)固耐用，適合表面貼裝或傳統(tǒng)插裝方式。
　　7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。

這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 中作為主開(kāi)關(guān)管。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路。
　　3. 工業(yè)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及控制電路。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他新能源相關(guān)設(shè)備。
　　5. 電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的功率模塊。
　　6. 各類負(fù)載切換和保護(hù)電路。

GA0805A100GXABP31G-A, IRF840, FQP13N20