GA0603Y822JBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于高效�、高頻開關電源領�。該器件采用先進的半導體制造工藝,具有低導通電�、快速開關速度和良好的熱性能等特��
它能夠適應多種復雜的工作�(huán)�,并且支持高電壓和大電流的操作需求,非常適合在工�(yè)控制、消費電子以及汽車電子等領域中使��
型號:GA0603Y822JBAAR31G
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導通電阻)�2.2mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):95A
Qg(柵極電荷)�75nC
VGS(th)(閾值電壓)�2.5V
fT(截止頻率)�1.4MHz
封裝形式:TO-247
GA0603Y822JBAAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電� RDS(on),可有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度,適合高頻開關應用場��
3. 高電流承載能�,支持高� 95A 的連續(xù)漏極電流�
4. 良好的熱性能設計,確保芯片在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運行�
5. 強大的抗靜電能力(ESD Protection�,提高了�(chǎn)品的可靠��
6. 支持表面貼裝技術(SMT�,便于大�(guī)模自動化生產(chǎn)�
7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
GA0603Y822JBAAR31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主功率開關管�
2. 電機驅動電路中的功率級元��
3. 工業(yè)逆變器和變頻器的核心組件�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關�
5. 太陽能逆變器中的功率轉換模��
6. 高效 DC-DC 轉換器中的同步整流管�
7. 各種需要高效率、大電流處理能力的電力電子設��
IRFZ44N
STP90NF06L
FDP55N06