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GA0603Y822JBAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 19:26:27 查看 閱讀�8

GA0603Y822JBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于高效�、高頻開關電源領�。該器件采用先進的半導體制造工藝,具有低導通電�、快速開關速度和良好的熱性能等特��
  它能夠適應多種復雜的工作�(huán)�,并且支持高電壓和大電流的操作需求,非常適合在工�(yè)控制、消費電子以及汽車電子等領域中使��

參數(shù)

型號:GA0603Y822JBAAR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極電壓):60V
  RDS(on)(導通電阻)�2.2mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):95A
  Qg(柵極電荷)�75nC
  VGS(th)(閾值電壓)�2.5V
  fT(截止頻率)�1.4MHz
  封裝形式:TO-247

特�

GA0603Y822JBAAR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電� RDS(on),可有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關速度,適合高頻開關應用場��
  3. 高電流承載能�,支持高� 95A 的連續(xù)漏極電流�
  4. 良好的熱性能設計,確保芯片在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運行�
  5. 強大的抗靜電能力(ESD Protection�,提高了�(chǎn)品的可靠��
  6. 支持表面貼裝技術(SMT�,便于大�(guī)模自動化生產(chǎn)�
  7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��

應用

GA0603Y822JBAAR31G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的主功率開關管�
  2. 電機驅動電路中的功率級元��
  3. 工業(yè)逆變器和變頻器的核心組件�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關�
  5. 太陽能逆變器中的功率轉換模��
  6. 高效 DC-DC 轉換器中的同步整流管�
  7. 各種需要高效率、大電流處理能力的電力電子設��

替代型號

IRFZ44N
  STP90NF06L
  FDP55N06

ga0603y822jbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-