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GA0603Y391JBBAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 16:36:41 查看 閱讀�18

GA0603Y391JBBAT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、開(kāi)�(guān)電路和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度以及良好的熱性能。其封裝形式通常� TO-263 � D2PAK,具體取決于制造商的標(biāo)�(zhǔn)�
  該型�(hào)特別適用于需要高效能和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)��

參數(shù)

�(lèi)型:MOSFET
  極性:N-Channel
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):31A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.9mΩ
  總功耗(Ptot):15W
  工作溫度范圍(Tj):-55°C � +175°C
  封裝:TO-263(D2PAK�

特�

GA0603Y391JBBAT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (3.9mΩ),有助于降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,能夠滿(mǎn)足高頻應(yīng)用的需��
  3. 高擊穿電� (60V),確保在高壓�(huán)境下可靠�(yùn)��
  4. �(qiáng)大的漏極電流承載能力 (31A),適合大功率�(yīng)用�
  5. 采用 TO-263 封裝,具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定��
  6. 工作溫度范圍� (-55°C � +175°C),適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足國(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

這款 MOSFET 器件可應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān)和電池保�(hù)電路�
  4. UPS 系統(tǒng)和太�(yáng)能逆變��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理和電�(jī)控制�
  由于其出色的電氣性能和可靠�,該芯片非常適合需要高效率和高�(wěn)定性的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5800, STP36NF06L

ga0603y391jbbat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容390 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-