GA0603Y391JBBAT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、開(kāi)�(guān)電路和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度以及良好的熱性能。其封裝形式通常� TO-263 � D2PAK,具體取決于制造商的標(biāo)�(zhǔn)�
該型�(hào)特別適用于需要高效能和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)��
�(lèi)型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):31A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.9mΩ
總功耗(Ptot):15W
工作溫度范圍(Tj):-55°C � +175°C
封裝:TO-263(D2PAK�
GA0603Y391JBBAT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (3.9mΩ),有助于降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,能夠滿(mǎn)足高頻應(yīng)用的需��
3. 高擊穿電� (60V),確保在高壓�(huán)境下可靠�(yùn)��
4. �(qiáng)大的漏極電流承載能力 (31A),適合大功率�(yīng)用�
5. 采用 TO-263 封裝,具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定��
6. 工作溫度范圍� (-55°C � +175°C),適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(mǎn)足國(guó)際法�(guī)要求�
這款 MOSFET 器件可應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
3. �(fù)載開(kāi)�(guān)和電池保�(hù)電路�
4. UPS 系統(tǒng)和太�(yáng)能逆變��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理和電�(jī)控制�
由于其出色的電氣性能和可靠�,該芯片非常適合需要高效率和高�(wěn)定性的�(yīng)用場(chǎng)��
IRFZ44N, FDP5800, STP36NF06L