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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0603Y332JBBAT31G

GA0603Y332JBBAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 18:36:57 查看 閱讀�16

GA0603Y332JBBAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻�(kāi)�(guān)條件下提供卓越的性能表現(xiàn)�
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,具有出色的熱穩(wěn)定性和電氣特性,適用于各種需要高效能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�33A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�85nC
  工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA0603Y332JBBAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了�(xù)流路�,降低開(kāi)�(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的性能輸出�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  6. 采用 TO-247 封裝,便于散熱和安裝,滿足大功率�(yīng)用需��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)器件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中作為功率級(jí)控制元件�
  4. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
  6. 通信電源及新能源相關(guān)�(chǎn)品的功率管理系統(tǒng)�

替代型號(hào)

GA0603Y332JBBAT28G
  IRF3205
  FDP150N06L

ga0603y332jbbat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" �(zhǎng) x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-