GA0603Y223MBBAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于開關電�、DC-DC轉換器以及電機驅動等應用領域。該器件采用先進的半導體制造工�,具有低導通電阻和快速開關速度的特點,從而能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低能��
這款功率MOSFET屬于N溝道增強型器�,支持高頻率操作,廣泛應用于工業(yè)控制、消費類電子�(chǎn)品以及通信設備等領��
型號:GA0603Y223MBBAR31G
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
導通電�(Rds(on))�2.5mΩ
功�(PD)�180W
工作溫度范圍(Top r)�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA0603Y223MBBAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),可以減少功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開關性能,能夠適應高頻應用需��
3. 強大的抗雪崩能力,確保在異常情況下仍能保持穩(wěn)定運��
4. 具備良好的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然表現(xiàn)�(yōu)��
5. 提供卓越的電磁兼容�(EMC),減少對周圍電路的干��
6. 支持大電流操�,滿足各種復雜應用場景的需��
GA0603Y223MBBAR31G 可廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)設計中的主開關管�
2. DC-DC轉換器的核心功率器件�
3. 電機驅動電路中的功率開關元件�
4. 電池保護與管理系�(tǒng)中的關鍵組件�
5. 各種工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
6. 消費電子�(chǎn)品的電源管理單元�
IRFZ44N
FDP5800
STP30NF06L