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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA0603Y222MXJAP31G

GA0603Y222MXJAP31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 16:34:43 查看 閱讀�18

GA0603Y222MXJAP31G 是一款高性能� MOSFET 場效應晶體管,主要應用于高頻開關和功率轉換電路中。該器件采用先進的半導體制造工藝開關速度以及出色的熱�(wěn)定性,適合用于各類高效能電源管理系�(tǒng)�
  此型號中的部分字母和�(shù)字組合代表了其封裝形�、電氣參�(shù)以及特定的制造批次信�,具體需參考廠商數(shù)�(jù)手冊�

參數(shù)

類型:MOSFET
  導通電阻(Rds(on)):2.5 mΩ
  最大漏源電壓(Vds):60 V
  最大柵源電壓(Vgs):±20 V
  連續(xù)漏極電流(Id):90 A
  總功耗(Ptot):250 W
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

GA0603Y222MXJAP31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻使得其在大電流應用下效率更�,發(fā)熱更��
  2. 快速的開關速度能夠滿足高頻電路的需�,減少開關損耗�
  3. 高耐壓能力確保其能夠在嚴苛的工作條件下�(wěn)定運��
  4. �(yōu)異的熱性能設計有助于提高系�(tǒng)的整體可靠性�
  5. 寬泛的工作溫度范圍使其適用于工業(yè)級及汽車級應用環(huán)��

應用

這款 MOSFET 廣泛應用于各種電力電子設備中,包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. 直流-直流轉換器(DC-DC Converter�
  3. 電機驅動控制
  4. 太陽能逆變�
  5. 電動汽車充電系統(tǒng)
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模�
  由于其卓越的性能表現(xiàn),它成為了許多高功率密度應用的理想選��

替代型號

GA0603Y222MXJAP32G, IRF840, FDP55N06L

ga0603y222mxjap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-