GA0603Y222MBBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝槽式 MOSFET 系列。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)��
該器件具有優(yōu)異的電氣特�,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此外,其封裝設(shè)計緊�,適合空間受限的�(yīng)用場��
型號:GA0603Y222MBBAR31G
類型:N-Channel Power MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�2.2mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):80A
Qg(柵極電荷)�45nC
Eoss(輸出電容能量損耗)�170nJ
Vgs(th)(閾值電壓)�2.2V
Tj(結(jié)溫范圍)�-55°C � +175°C
封裝:TO-247-3L
GA0603Y222MBBAR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在高電流應(yīng)用中顯著減少功率損��
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,適用于開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 高雪崩耐量,確保在異常工作條件下仍能保持可靠��
4. 出色的熱性能,有助于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和壽命�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 適用于高效率、高功率密度的設(shè)計需��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � AC-DC 適配��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動和逆變器控��
3. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng)�
4. 通信�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
6. 各種高效� DC-DC �(zhuǎn)換器�(shè)計�
IRF3205
FDP5500
STP10NK60Z